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[发明专利]一种玻璃基板传送的控制方法、装置、设备及介质-CN201810870387.4在审
发明人：许佳健 -专利权人：张家港康得新光电材料有限公司
申请日： 2018-08-02 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： B65G49/06 文献下载
摘要：该方法包括：在机械手臂空闲且下游制程机台无要片请求时，获取下游制程机台的制程时间长度以及下游制程机台当前处理的玻璃基板的进片时间，预估得到下游制程机台后续发送要片请求的时间距离当前时间的第一时间长度；根据第一时间长度从下游制程机台中确定制程机台作为待进片制程机台，并控制机械手臂在上游取片处获取玻璃基板后移动至待进片制程机台。本发明实施例通过获取下游制程机台的制程时间长度以及当前处理的玻璃基板的进片时间，确定待进片制程机台并控制机械手臂在上游取片处获取玻璃基板后移动至待进片制程机，以实现缩短制程机台的闲置时间，提高产能。
制程机台玻璃基板进片机械手臂制程取片传送预估时间距离上游产能移动空闲发送闲置

[发明专利]一种液晶面板干蚀刻机制程腔的自动清洁方法及存储介质-CN202211114987.0在审
发明人：程辉;吾继明;杨志帅;葛浩浩;陈聪 -专利权人：福建华佳彩有限公司
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： B08B9/08 文献下载
摘要：一种液晶面板干蚀刻机制程腔的自动清洁方法及存储介质，包括如下步骤：制程腔室的制程产品进行连续生产，并计算生产的产品片数；当生产的产品片数达到设定枚数时，机台从设定的卡匣储位取一片素玻璃控片进入该制程腔室执行控片清洁工序本发明提供一种液晶面板干蚀刻机制程腔的自动清洁方法及存储介质，实现制程若干枚产品，系统自动跑一片素玻璃控片，可改善腔室洁净度，降低蚀刻残，从而提高产品良率。
一种液晶面板蚀刻机制自动清洁方法存储介质

[发明专利]制程装置中金属污染与微粒子的检测方法-CN03122159.9无效
发明人：俞文光;黄良田 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2003-04-22 - 公布日： 2004-10-27 - 主分类号： G01N23/223 文献下载
摘要：一种制程装置中金属污染与微粒子的检测方法，此方法提供一控片，将控片置于欲检测的制程装置中，并以此制程装置对控片进行处理，接着在此控片上形成硅材料层，然后测量已形成硅材料层的控片上的粒子与缺陷数目，即可得知此制程装置中金属污染与微粒子污染的程度
装置金属污染微粒子检测方法

[发明专利]进行再沉积制程时改善掺杂多晶硅片电阻阻值差异的方法-CN201310267826.X有效
发明人：田守卫;姜国伟;孙洪福 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-06-28 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：一种进行再沉积制程时改善掺杂多晶硅片电阻阻值差异的方法，在沉积制程中断后的多晶硅薄膜上通H2气流，再进行再沉积制程，直到完成多晶硅薄膜的沉积，然后依序进行后续制程。本发明能够缩小沉积制程和再沉积制程中形成的多晶硅薄膜的片电阻阻值差异，减少制程中断产生的不良影响，获得片电阻较为一致的多晶硅薄膜。
进行沉积制程时改善掺杂多晶硅片电阻阻值差异方法

[发明专利]基板移转方法及装置-CN202011547785.6在审
发明人：林柏育;陈正钦 -专利权人：荌益国际有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种基板移转方法及装置，能解决晶圆扩片制程后、扩片铁圈组所造成的厚度问题。将所述基板由一胶膜移转到另一胶膜上，使用较薄的框架来置换所述晶圆扩片制程所使用的所述扩片铁圈组，以利晶圆扩片后的后续制程。
移转方法装置

[发明专利]控制程序控制调度方法、装置、计算机设备以及存储介质-CN201810746025.4有效
发明人：江启运;尹二飞 -专利权人：北京东土科技股份有限公司
申请日： 2018-07-09 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： G05B19/05 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种控制程序控制调度方法、装置、计算机设备以及存储介质。所述方法包括：根据调度时间周期的时间长度，确定各操作系统上控制程序的调度时间片；根据接收到的调度时间片调整信息，调整所述调度时间片调整信息对应的调度时间片；判断当前时刻是否处于任一控制程序对应的更新后的调度时间片内；如果是，则根据设定调度规则切换控制程序运行；否则切换到优先级控制程序队列中优先级最高的控制程序运行。
控制程序控制调度方法装置计算机设备以及存储介质

[发明专利]喷孔片的蚀刻及微影制程-CN200510084396.3无效
发明人：胡迪群;吴建男;林仁杰;王兴民 -专利权人：晶强电子股份有限公司
申请日： 2005-07-19 - 公布日： 2007-01-24 - 主分类号： B41J2/16 文献下载
摘要：本发明是有关于一种喷孔片的蚀刻及微影制程，该喷孔片的蚀刻制程步骤包括提供一软性基材，并且于此一软性基材上形成多个传动孔。之后于软性基材的一表面形成一光阻层，并且于光阻层形成多个开口。接着利用蚀刻液移除显露于开口中的软性基材，以形成多个喷墨孔，最后将光阻层移除而形成一喷孔片。另外，本发明更提出一喷孔片的微影制程，其制程步骤是将上述的软性基材更换为感光性的软性基材，并利用微影制程于此一感光性的软性基材上形成多个喷墨孔。由于本发明是采用湿式蚀刻制程或微影制程制作喷孔片，因此具有高生产量以及低生产成本的优点。
喷孔片蚀刻微影制程

[发明专利]一种液晶面板干蚀刻机制程腔生产方法及存储介质-CN202310637217.2在审
发明人：陈聪;吾继明;杨志帅;葛浩浩;程辉 -专利权人：福建华佳彩有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G02F1/13 文献下载
摘要：一种液晶面板干蚀刻机制程腔生产方法及存储介质，包括：产品卡匣由自动化机器搬送到设备卡匣位，待生产；设备接收到系统的配方信息；自动匹配可进行生产的制程腔室；读取并自统计配方的累计时间；判断当产生产的三个制程腔是否为相同配方名称，是，按顺序取片，否，则判断不同制程腔的累计配方时间比是否大于0.6；是，按1:2取片顺序进行生产取片，否，则按1:3取片顺序进行生产取片。本发明通过计算各制程腔的配方时间，优化搬送顺序流程，提高干蚀刻机机台生产效率。
一种液晶面板蚀刻机制生产方法存储介质

[发明专利]成像设备和成像系统-CN200710102119.X有效
发明人：藤井隆行;山内学;渡辺直人;西村俊辅;冈雄志;三宅聪行;横谷贵司 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2007-04-26 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： H04N1/00 文献下载
摘要：一种成像设备，可与通过网络连接至该成像设备的第一片材处理设备和第二片材处理设备一起操作。该成像设备包括：存储器，被配置以存储用于该第一和第二片材处理设备的控制程序；和控制器，被配置以执行控制而使得存储在存储器中的控制程序被传输给第一片材处理设备或第二片材处理设备。当第一片材处理设备和第二片材处理设备是相同类型的片材处理设备时，控制器将控制程序传输给或者第一片材处理设备或者第二片材处理设备，以及在传输结束后，控制器使控制程序已传输到的那个片材处理设备将控制程序传输给另一个片材处理设备
成像设备系统

[发明专利]LED的制程方法-CN201110262555.X无效
发明人：马擎天;陈炳宏;刘秉承 -专利权人：协鑫光电科技（张家港）有限公司
申请日： 2011-09-06 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种LED的制程方法，涉及LED制程领域，为解决现有技术中LED的制程工艺比较复杂的技术问题而发明。所述方法包括：获取外延片；对所述外延片进行处理，分别在所述外延片上生成LED的P极区的图形和N区极的图形、LED的电流阻挡层图形、LED的透明导电层图形；对处理后的所述外延片进行保护层黄光制程，在所述外延片上生成
led 方法

[发明专利]喷孔片及其制程-CN02140356.2无效
发明人：徐智洁;陈贵铨;杨明勋 -专利权人：飞赫科技股份有限公司
申请日： 2002-06-27 - 公布日： 2004-01-07 - 主分类号： B41J2/14 文献下载
摘要：一种喷孔片及其制程，用以制作喷孔片在喷墨印头上，首先在喷墨印头的墨腔层上形成图案化的第一喷孔层，而第一喷孔层具有至少一第一开口，并使第一开口的孔壁表面呈亲水化，其方法包括以亲水性材料作为第一喷孔层的材料在第一喷孔层上形成图案化的第二喷孔层，而第二喷孔层具有至少一第二开口，其与第一开口相通，并使第二开口的孔壁表面呈斥水性，其方法包括以斥水性材料作为第二喷孔层的材料，或是斥水化第二开口的孔壁表面，最后第一喷孔层及第二喷孔层构成喷孔片，
喷孔片及其

[发明专利]喷孔片及其制程-CN200610007603.X无效
发明人：王俊恒 -专利权人：南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司
申请日： 2006-02-13 - 公布日： 2007-03-28 - 主分类号： B41J2/16 文献下载
摘要：本发明是有关于一种喷孔片及其制程。该喷孔片制程为：提供一其上已形成金属层的基板，在金属层上形成一图案化光阻层，在金属层与图案化光阻层上形成一喷孔层，该喷孔层具有多个喷孔，这些喷孔暴露出部分图案化光阻层，其各孔径自喷孔层的下表面往上表面逐渐增加该喷孔片，包括一第一喷孔层，具有多数个凹槽与多数个喷孔分别连通，其中各该喷孔的孔径自该喷孔层的下表面往上表面逐渐增加，且该第一喷孔层的下表面的平均表面粗糙度为小于0.4微米。本发明缩短了制程时间，降低了制作成本，制作的喷孔片喷孔内壁较为平滑，使流体具有较佳的出射轨道和出射速度。
喷孔片及其

[发明专利]一体加工多个异形玻璃的工艺及其使用的手动裂片气缸治具-CN202211141334.1在审
发明人：苏瑶;毕哲哲;曹欢欢;袁北平 -专利权人：伯恩光学（深圳）有限公司
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： B23K26/38 文献下载
摘要：一体加工多个异形玻璃的工艺及其使用的手动裂片气缸治具，包括以下步骤：S1取玻璃进行开料，得到单个中片；S2对中片进行激光镭切处理，得到带有两个异形玻璃外形的中片a；S3对中片a进行表面液抛处理得到中片b；S4加硬中片b获得中片c；S5对中片c上的异形玻璃进行PVD电镀处理得到中片d；S6将中片d置于手动裂片气缸治具中进行裂片处理，得到异形玻璃产品。本发明由激光镭切加工的中片制程来取代由CNC加工的单片制程，有效减少后制程产生的不良，基于激光镭切可将两组异形玻璃形状进行一体加工，后制程全部按照中片尺寸方式进行加工，最后用裂片方式分裂出异形产品，使各制程操作简单方便
一体加工异形玻璃工艺及其使用手动裂片气缸

[发明专利]具有双浅沟槽隔离及可调内外鳍片轮廓的鳍片制程-CN201810572009.8有效
发明人：布莱恩·J·葛伦;布瑞斯·纳拉辛哈 -专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本申请涉及一种具有双浅沟槽隔离及可调内外鳍片轮廓的鳍片制程，其揭露自对准主动区阻挡掩膜用以图案化并定义多个半导体鳍片以及伴随的浅沟槽隔离(STI)结构。该阻挡掩膜(其一部分包括图案化鳍片硬掩膜)允许解耦内外鳍片蚀刻制程，以及独立优化内鳍片及外鳍片介电属性。该鳍片形成方法还防止产生隔离的、独立的鳍片，从而降低在制程期间机械损伤该鳍片的可能性。
具有沟槽隔离可调内外轮廓鳍片制程

[发明专利]一种晶圆及利用该晶圆识别错误制程的方法-CN200610117984.7有效
发明人：郭强;简维廷 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-11-03 - 公布日： 2008-05-07 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明还提供一种利用晶圆识别错误制程的方法，晶圆上设有至少两个缺口，至少两个晶圆通过该制程，该方法包括如下步骤：第一片晶圆通过该晶圆上的第一缺口定位，通过该制程；将第二片晶圆旋转90度，通过该晶圆上的第二缺口定位，通过该制程；通过第一缺口定位检测第一片晶圆上的芯片参数；通过第二缺口定位检测第二片晶圆上的芯片参数；对比两个晶圆上芯片参数的失效模式来判断该制程是否出现错误。与现有技术相比，本发明可以有效识别错误制程，而且简化了判断坏片出现原因的过程。
一种利用识别错误方法

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